RAM和ROM发展历史回顾

2015年，14nm的Exynos 7420处理器，LPDDR4 RAM，UFS 2.0 ROM三项半导体领域的技术革新同时出现在智能手机上，为智能手机的系统运行速度和文件传输速度带来的直接红利就是响应更快、游戏加载更迅速、更早完成传输任务。这也是智能手机越来越成熟和受欢迎，并且能够实现更多任务的幕后功臣。其中LPDDR4和UFS 2.0分别属于RAM和ROM两种不同存储介质技术，接下来我们分别回顾一下这两种技术和PC上DDR内存、SSD硬盘之间的历史演进关系。

DDR和LPDDR其实都是DRAM，而全球三大DRAM厂商之中，又以三星和智能手机关系颇为密切，为了方便读者理解，以三星为例看看DRAM历史的演进过程。美光和SK海力士的历史演进也类似。半导体更新迭代大致按照摩尔定律推测，而架构和工艺制程的更新成为了最主要的两条主线，处理器如此，RAM和ROM也如此。

从上面表格可得，DDR和LPDDR除了在架构上从DDR逐步更新到如今的DDR4和LPDDR4，工艺制程上也从5xnm一路更新到如今的2xnm。和处理器类似，18nm和20nm只是不同厂商在同一代工艺节点上表现出来的数值误差，实则上并没有跨越两代工艺制程，另一方面，10nm和Post-DDR4只是三星的愿景，暂时还没有实现。

纵观LPDDR和DDR历史，制定固态技术标准的JEDEC协会对DDR和LPDDR两种技术提出了标准规范。将智能手机和行业标准发展关联起来，12年5月发布的LPDDR3标准规范，13年3月的三星S4正式用上了，同年7月，三星Note 3也冲上了3GB RAM的高度。14年8月，JEDEC发布了LPDDR4标准规范，并定义最高频率为3200MHz。15年3月，MWC上三星发布了搭载LPDDR4 RAM的三星S6和三星S6 Edge，同年8月，三星发布的另外两款旗舰——三星Note 5和三星S6 edge+将RAM容量提高到4GB。

SSD和ROM领域
先来解释一下上面表格出现的一些专业术语，SSD是固态硬盘，ROM是手机存储。它们两者归根到底其实都是NAND Flash，下文会详细介绍SSD和ROM之间的关联。SSD根据成本和存储颗粒寿命再细分为TLC SSD、MLC SSD、SLC SSD（相同容量前提下，上述三者一般来说成本和寿命依次提高），而U盘和SD存储卡其实也是TLC SSD的一种形态。2D NAND是早期的一种SSD内部颗粒排列技术，而V-NAND则是如今由三星主导的3D平面上全新的颗粒排列技术，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D NAND闪存带来的容量限制等问题。类似技术还有3D NAND，则是由Intel和美光合资的IMFT主导。

熟悉固态硬盘的消费者应该知道早期的消费级SSD主要是以MLC颗粒为主流的，SLC比较昂贵，TLC未成气候，所以成本上始终无法进一步降低。TLC寿命短和易损坏的弊病导致在2012年以前，它们一般只用在U盘和SD存储卡上，但是由于技术进步，TLC颗粒寿命得到了控制，从此出现了采用TLC颗粒的840和840 EVO SSD，进一步将成本降低，也让SSD开始走近平民百姓。

如今除了三星，浦科特、金士顿、SK海力士等厂商也纷纷推出采用TLC颗粒的SSD。另一方面，除了存储颗粒本身的不同，存储颗粒之间排列方式也发生了改变，从刚开始的2D平面排列上升到立体空间3D排列，也就是如今的V-NAND排列方式。不知不觉，这种排列方式已经经历了3代产品，850 PRO和850 EVO在较早前也成功升级换代，分别换上了第三代V-NAND排列的MLC芯片和TLC芯片，进一步增大了存储容量，突破4TB级别的里程碑。Intel和美光合资公司IMFT则称类似技术为3D NAND。

在ROM领域，2013年10月，JEDEC发布eMMC 5.0标准，其实同年7月底，三星已经能够量产eMMC 5.0存储产品。在业界开始准备采用UFS这种新的存储介质取代eMMC的时候，在13年9月JEDEC发布UFS 2.0标准之后，相隔不到两年，15年3月，三星就在MWC上正式发布搭载了UFS 2.0的手机。