骁龙810高烧风波,三星置身度外
摘要:移动处理器之王高通屡屡爆出过热传闻,质疑声也从未间断。现在免受移动处理器之王高通的影响的幸运儿便是三星了。
几天前,荷兰媒体Tweaker.net使用基准测试软件GFXBench对市面上一些旗舰机型的发热量进行了测试,结果显示HTC One M9的最高温温度达到55.4度,甚至达到了烫手的程度,移动处理器之王高通遇到了前所未有的危机,旗舰芯片骁龙810表现乏力,屡屡爆出过热传闻,质疑声也从未间断。 所以说三星是幸运的,他的幸运来源于:14nm FinFET工艺的顺利进展,使得三星可以首次抛弃骁龙平台,在Galaxy S6这样的旗舰机中只用自家的新款Exynos 7420,新工艺也赢得了行业客户的青睐,包括高通都心动了,准备抛弃台积电,而后者的16nm FinFET也遇到了不小麻烦。
Bernstein Research的分析师Mark Li又在一份报告中说:“高通的20nm骁龙810据报存在过热问题,性能上也输给了三星的14nm Exynos 7420。这让高通加快了向14/16nm工艺转移的脚步。由于高通在台积电2015 20nm需求量中占了40-50%,如此转移会让台积电在20nm上的收入远不如旧代工艺。
“随着14/16nm的加速,高通也将在今年底或明年初,转向将三星作为首要芯片供应商。高通可以获得更好的价格、产能支持。”
Bernstein Research的分析师Mark Li又在一份报告中说:“高通的20nm骁龙810据报存在过热问题,性能上也输给了三星的14nm Exynos 7420。这让高通加快了向14/16nm工艺转移的脚步。由于高通在台积电2015 20nm需求量中占了40-50%,如此转移会让台积电在20nm上的收入远不如旧代工艺。
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