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LPDDR4和UFS 2.0让三星S6提升了

来源：百信手机网作者：佚名发布时间：2015/3/20 17:05:15

摘要：近日有报道发现在最新一代旗舰机型Galaxy S6和Galaxy S6 Edge上，三星不仅使用了采用14nm制程工艺的Exynos 7420八核处理器，而且还使用了LPDDR4 RAM和符合UFS 2.0标准的闪存芯片

三星Galaxy S6和Galaxy S6 Edge从配置方面来看明显比三星S5提升了很多。其中的一点是Galaxy S6和Galaxy S6 Edge使用了LPDDR4 RAM和UFS 2.0

近日有报道发现在最新一代旗舰机型Galaxy S6和Galaxy S6 Edge上，三星不仅使用了采用14nm制程工艺的Exynos 7420八核处理器，而且还使用了LPDDR4 RAM和符合UFS 2.0标准的闪存芯片

虽然闪存似乎不如屏幕、处理器、RAM等硬件配置来得重要，但是连续存取速度对大型文件的存取还是有着很大的影响，尤其是在处理高清视频、无损音乐和游戏等任务时，通常都要涉及到闪存上短时间大量数据的移动。而为了验证UFS 2.0闪存究竟有多大提高，近日AndroBench也对Galaxy S6进行了测试，结果证明Galaxy S6在存取速度上与其它旗舰机型相比有着相当大的优势。

总体来说，LPDDR4 RAM和UFS 2.0闪存的出现可以说是Galaxy S6和Galaxy S6 Edge此次相当重要的提升，这将为用户在进行高清视频播放录制、运行大型游戏和交换大型文件时提供更快更好的体验。