传三星GALAXY S6将配UFS闪存 速度提升三倍

　　随着三星GALAXY S6研发代号Project Zero的曝光，似乎预示着三星在下一代旗舰机型上准备“从零开始”的想法。而现在，三星GALAXY S6的这种设计思路在不断披露的各种传言中似乎也得到了呈现，除了传闻该机会配备更炫酷的三面屏之外，韩国媒体日前又爆料称，三星GALAXY S6有可能会采用UFS通用闪存芯片，不仅功耗更低，而且数据传输速度较之过去会有三倍的提升。

传三星GALAXY S6将配UFS闪存

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　　而对于不少技术控来说，UFS通用闪存作为一种新的储存标准或许并不会感到陌生。其主要特色是将固态硬盘(SSD)的高速传输和eMMC的低功耗特点相结合，不仅能够提供更快的传输速度，而且耗电量更低。据悉，UFS闪存的最高传输速度高达1.2GB/s，是目前eMMC闪存400MB/s传输速度的三倍，而UFS在功耗方面则理论上仅有eMMC 5.0闪存的一半左右。此外，韩国媒体的消息还表示，小米等厂商也会在未来的旗舰机型中使用UFS闪存，似乎预示着未来智能手机的存储介质将会出现新的变化和潮流趋势。

传三星GALAXY S6将配UFS闪存

　　三面屏设计

　　而除了使用传输速度更快的UFS闪存之外，三星GALAXY S6还传闻会在造型和使用体验上有所革新，将会在机身的两个侧面都使用弧形屏幕，比较通俗的说法就是会采用三面屏设计，结合高达2K分辨率的清晰显示效果，无论在视觉还是使用体验上，都会给用户带来不同以往的独特感受。

　　三星GALAXY S6还会全面提升手机的硬件配置，不仅会将前置镜头升级为500万像素，而且主摄像头也会在支持光学防抖功能的基础上，借助新的算法获得更好的低光拍照效果。此外，该机还会使用博通的全新BCM4773芯片，将GPS 导航与其它感应器整合，不仅能够节省电量消耗，而且还能够为主板节省更多空间，这意味着三星GALAXY S6在功能全面升级的情况下，或许在体积方面不会变得臃肿。

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　　或提前发布

　　三星GALAXY S6还会在处理器的配置上则沿用过去的双处理器策略，全球版本将会装载全新Exynos 7420处理器，并可能会搭载新开发LTE基带芯片。而面向部分特定的地区的版本，则会是64位的骁龙810处理器。不过，三星GALAXY S6仍会继续采用3GB的内存容量，因为这样的配置已经足以处理所有的任务操作。

　　三星GALAXY S6还传闻会在明年三月的WMC世界移动大会上正式发布，但根据韩国媒体披露的消息称，明年三星旗舰机型的发售时间也将会相比过去早一个月。其中，三星GALAXY S6预计将提前至明年三月开卖，而GALAXY Note 5也将提前至明年八月份上市。而如果以上消息属实的话，那么则意味着三星GALAXY S6有可能会在明年二月份便提前发布。